Производство транзисторов на базе воронежского НИИЭТ проинвестируют на 4,4 млрд рублей

Группа компаний «Элемент» объявила о намерениях вложить 4,4 млрд рублей в создание производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) в воронежском НИИ электронной техники (НИИЭТ). Об этом сообщает издание «КоммерсантЪ».

Инвестиции позволят расширить существующие мощности предприятия, добавив к сборке транзисторов кристальное производство электронных компонентов. В результате на базе НИИЭТ будет организовано первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла.

Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-миллиметровом эквиваленте в год. Для реализации проекта предусмотрено льготное финансирование в рамках кластерной инвестиционной платформы (КИП). Оператором КИП является Фонд развития промышленности.

Использование нитрида галлия позволит производить транзисторы, которые будут работать при более высоких температурах и частотах, а также обеспечивать большую плотность мощности и энергоэффективность по сравнению с традиционными кремниевыми приборами.